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2SA2012-TD-E

2SA2012-TD-E onsemi

2SA2012_D-1801400.pdf
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 30V
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Technische Details 2SA2012-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 30V 5A PCP, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 420MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 30mA, 1.5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 3.5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SA2012-TD-E 2SA2012-TD-E Hersteller : ONSEMI 2sa2012-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 5A
Power dissipation: 3.5W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...560
Frequency: 350MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
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