2SA2012-TD-E ON Semiconductor
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Technische Details 2SA2012-TD-E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SA2012-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 350, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote 2SA2012-TD-E nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.96 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2SA2012-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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2SA2012-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Polarisation: bipolar Power dissipation: 3.5W Type of transistor: PNP Collector current: 5A Kind of package: reel; tape Current gain: 200...560 Collector-emitter voltage: 30V Frequency: 350MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2SA2012-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 5A; 3.5W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Polarisation: bipolar Power dissipation: 3.5W Type of transistor: PNP Collector current: 5A Kind of package: reel; tape Current gain: 200...560 Collector-emitter voltage: 30V Frequency: 350MHz |
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2SA2012-TD-E | Hersteller : onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 30V |
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2SA2012-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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2SA2012-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2012-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 350 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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2SA2012-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 5A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 420MHz Supplier Device Package: PCP Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 3.5 W |
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2SA2012-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 5A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 420MHz Supplier Device Package: PCP Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 3.5 W |
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