2SA2013-TD-E
Produktcode: 161290
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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2SA2013-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2013-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2013-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2013-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 147000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2013-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 4A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA2013-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2013-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 4A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W |
auf Bestellung 1996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA2013-TD-E | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 50V |
auf Bestellung 312 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA2013-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2013-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2013-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA2013-TD-E | Hersteller : ONN |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SA2013-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2SA2013-TD-E | Hersteller : On Semiconductor |
TRANS PNP 50V 4A SOT89-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SA2013-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 4A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 360MHz Polarisation: bipolar Case: SOT89 Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape |
Produkt ist nicht verfügbar |