2SA2013-TD-E


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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E onsemi 2SA2013-D.PDF Description: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
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12+1.84 EUR
19+1.15 EUR
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2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E onsemi 2SA2013-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 50V
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10+1.19 EUR
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2SA2013-TD-E ONN 2SA2013-D.PDF
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
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Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 50V
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