2SA2039-E ON Semiconductor
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Technische Details 2SA2039-E ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 5A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 360MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW.
Weitere Produktangebote 2SA2039-E nach Preis ab 1.03 EUR bis 2.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2SA2039-E | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS PNP 50V 5A TPPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TP Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
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2SA2039-E | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V |
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2SA2039-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2039-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 Verlustleistung Pd: 15 Übergangsfrequenz ft: 360 Bauform - Transistor: TO-251 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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| 2SA2039-E | Hersteller : ON Semiconductor |
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2SA2039-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
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2SA2039-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 5A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TP Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
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