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2SA2061(TE85L,F)

2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=20449&prodName=2SA2061
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 625 mW
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Technische Details 2SA2061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 20V 2.5A TSM, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Power - Max: 625 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA2061(TE85L,F) 2SA2061(TE85L,F) Toshiba 2sa2061_datasheet_en_20131101.pdf Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
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2SA2061(TE85L,F) 2SA2061(TE85L,F) Toshiba 2sa2061_datasheet_en_20131101.pdf Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
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2SA2061(TE85L,F) 2SA2061(TE85L,F) Toshiba A1FCEC0EE18BCD7FB67E6EC44585D1C1C9E908A60504E7D662144E399EDB70C8.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TSM PD=1W F=1MHZ
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Supplier Device Package: TSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 53mA, 1.6A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
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Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TSM PD=1W F=1MHZ
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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