2SA2070(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINI
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PW-MINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details 2SA2070(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote 2SA2070(TE12L,F) nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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2SA2070(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINIPower - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: PW-MINI DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA2070(TE12L,F) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI V=50 PD=1W F=1MHZ |
auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA2070(TE12L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3023 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2SA2070(TE12L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3023 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SA2070(TE12L,F) |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINI
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PW-MINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINI
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PW-MINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 1 EUR |
| 25+ | 0.86 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 2SA2070(TE12L,F) |
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Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI V=50 PD=1W F=1MHZ
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI V=50 PD=1W F=1MHZ
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.55 EUR |
| 10+ | 0.95 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| 5000+ | 0.33 EUR |
| 10000+ | 0.32 EUR |
| 2SA2070(TE12L,F) |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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| 2SA2070(TE12L,F) |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3023 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



