2SA2070(TE12L,F) Toshiba
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Technische Details 2SA2070(TE12L,F) Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 2SA2070(TE12L,F) nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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2SA2070(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINIPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: PW-MINI Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
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2SA2070(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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2SA2070(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: PW-MINI Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA2070(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2070(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
auf Bestellung 1146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2070(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI V=50 PD=1W F=1MHZ |
auf Bestellung 2788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA2070(TE12L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2070(TE12L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2070(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SA2070(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |