2SA2070(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINI
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PW-MINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 0.32 EUR |
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Technische Details 2SA2070(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 2SA2070(TE12L,F) nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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2SA2070(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 1A PW-MINI Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: PW-MINI DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA2070(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI V=50 PD=1W F=1MHZ |
auf Bestellung 2658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA2070(TE12L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3033 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2070(TE12L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3033 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |