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2SA2097(TE16L1,NQ)

2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
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Technische Details 2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Supplier Device Package: PW-MOLD, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba 2sa2097_datasheet_en_20131101.pdf Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 1196 Stücke:
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156+1.13 EUR
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500+0.61 EUR
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2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba 2sa2097_datasheet_en_20131101.pdf Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
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2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba 968547E1BE2133A6CA3497809B671D48103C9379F28C9598CFCE6A7E2B56F6F5.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR; PW-MOLD; PC=1W; F=100KHZ
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2SA2097(TE16L1,NQ) 2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20461&prodName=2SA2097 Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
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Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
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1000+0.55 EUR
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Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Description: TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 53mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
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Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
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10+2.28 EUR
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