2SAR567F3TR ROHM Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 2.96 EUR |
| 10+ | 1.88 EUR |
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| 500+ | 1.00 EUR |
| 1000+ | 0.90 EUR |
| 3000+ | 0.87 EUR |
| 6000+ | 0.77 EUR |
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Technische Details 2SAR567F3TR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 2SAR567F3TR nach Preis ab 0.92 EUR bis 2.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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2SAR567F3TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PNP 120V 2.5A HUML2020L3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: HUML2020L3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W |
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2SAR567F3TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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2SAR567F3TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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2SAR567F3TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 120V 2.5A HUML2020L3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: HUML2020L3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W |
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