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2SAR567F3TR

2SAR567F3TR ROHM Semiconductor

datasheet?p=2SAR567F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 120V 2.5A DF2020 BJT PNP TRA
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Technische Details 2SAR567F3TR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 1W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: DFN2020, Dauerkollektorstrom: 2.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SAR567F3TR 2SAR567F3TR Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR567F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 120V 2.5A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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2SAR567F3TR 2SAR567F3TR ROHM 2sar567f3tr-e.pdf Description: ROHM - 2SAR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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123+1.9 EUR
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500+0.84 EUR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 120V 2.5A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 80mA, 800mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
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Description: ROHM - 2SAR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: ROHM - 2SAR567F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 2.5 A, 1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DFN2020
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
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