2SAR574D3TL1 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 2A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.54 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2SAR574D3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 10W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SAR574D3TL1 nach Preis ab 0.5 EUR bis 2.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR574D3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR574D3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR574D3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
2SAR574D3TL1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -80V -2A 10W Pwr trnstr Low VCE |
auf Bestellung 3066 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR574D3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 2A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
auf Bestellung 3691 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
2SAR574D3TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
2SAR574D3TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 10W euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
2SAR574D3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |