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2SAR583D3TL1

2SAR583D3TL1 Rohm Semiconductor

2sar583d3tl-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details 2SAR583D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 230MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Rohm Semiconductor 2sar583d3tl-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Rohm Semiconductor 2sar583d3tl-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 185 Stücke:
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2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Rohm Semiconductor 2sar583d3tl-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, Power Transistor
auf Bestellung 4535 Stücke:
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1+3.8 EUR
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2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 50V 7A TO-252
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 230MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
auf Bestellung 2425 Stücke:
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5+4.19 EUR
10+2.68 EUR
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500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 ROHM datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SAR583D3TL1
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 10W
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Dauerkollektorstrom: 7A
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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2SAR583D3TL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+2.12 EUR
200+1.75 EUR
500+1.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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2SAR583D3TL1
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Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, Power Transistor
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100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
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2SAR583D3TL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 7A TO-252
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 230MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
auf Bestellung 2425 Stücke:
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10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
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2SAR583D3TL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.9 EUR
80+2.93 EUR
128+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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