2SAR586D3TL1 Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SAR586D3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SAR586D3TL1 nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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2SAR586D3TL1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 5A Power dissipation: 10W Case: DPAK; TO252 Current gain: 120...390 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2SAR586D3TL1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 5A Power dissipation: 10W Case: DPAK; TO252 Current gain: 120...390 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
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2SAR586D3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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2SAR586D3TL1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -80V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE |
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2SAR586D3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 5A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
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2SAR586D3TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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2SAR586D3TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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2SAR586D3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 5A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
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