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2SAR586D3TL1

2SAR586D3TL1 Rohm Semiconductor

2sar586d3tl1-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details 2SAR586D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4677 Stücke:
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2SAR586D3TL1 2SAR586D3TL1 Rohm Semiconductor 2sar586d3tl1-e.pdf Trans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SAR586D3TL1 2SAR586D3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR586D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 80V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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2SAR586D3TL1 2SAR586D3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR586D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP -80V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SAR586D3TL1 datasheet?p=2SAR586D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SAR586D3TL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SAR586D3TL1
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Trans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SAR586D3TL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 5A TO-252
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
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Bipolar Transistors - BJT PNP -80V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE
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2SAR586D3TL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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