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2SAR587D3TL1

2SAR587D3TL1 Rohm Semiconductor

2sar587d3tl-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details 2SAR587D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 120V 3A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-252, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 10 W.

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2SAR587D3TL1 2SAR587D3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor 2sar587d3tl-e.pdf Trans GP BJT PNP 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SAR587D3TL1 2SAR587D3TL1 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR587D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -120V -3A, Power Transistor
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2SAR587D3TL1 2SAR587D3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR587D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 120V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
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2SAR587D3TL1 2SAR587D3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR587D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 120V 3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
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