Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SAR587D3TL1
2SAR587D3TL1

2SAR587D3TL1 Rohm Semiconductor


2sar587d3tl-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4295 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
177+0.87 EUR
202+ 0.74 EUR
211+ 0.68 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.57 EUR
2500+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SAR587D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 120V 3A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-252, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 10 W.

Weitere Produktangebote 2SAR587D3TL1 nach Preis ab 0.97 EUR bis 2.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2SAR587D3TL1 2SAR587D3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor 2sar587d3tl-e.pdf Trans GP BJT PNP 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
113+1.37 EUR
118+ 1.26 EUR
250+ 1.17 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 113
2SAR587D3TL1 2SAR587D3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR587D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 120V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 1728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+2.41 EUR
10+ 1.97 EUR
100+ 1.53 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2SAR587D3TL1 2SAR587D3TL1 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR587D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP -3.0A -120V Power Transistor. 2SAR587D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.46 EUR
10+ 2.01 EUR
100+ 1.57 EUR
500+ 1.33 EUR
1000+ 1.08 EUR
2500+ 1.02 EUR
5000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2SAR587D3TL1 2SAR587D3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR587D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 120V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
Produkt ist nicht verfügbar