2SB1167T ON Semiconductor


2sb1167.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1200mW 3-Pin TO-126LP
auf Bestellung 158000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1164+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SB1167T ON Semiconductor

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, Power - Max: 1.2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Supplier Device Package: TO-126LP, Frequency - Transition: 130MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Bulk.

Weitere Produktangebote 2SB1167T nach Preis ab 0.64 EUR bis 0.83 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB1167T 2SB1167T onsemi SSCLS00204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126LP
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 156800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
952+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 952 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1167T ONSEMI SSCLS00204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1167T - 2SB1167T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 158205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1145+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1167T SSCLS00204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126LP
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 156800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
952+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 952 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1167T SSCLS00204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1167T - 2SB1167T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 158205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1145+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH