2SB1181TLQ Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SB1181TLQ Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: CPT3, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 10 W.
Weitere Produktangebote 2SB1181TLQ nach Preis ab 0.89 EUR bis 2.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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2SB1181TLQ | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1181TLQ | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: CPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SB1181TLQ | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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2SB1181TLQ | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SB1181TLQ |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 201+ | 0.89 EUR |
| 2SB1181TLQ |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 8+ | 2.73 EUR |
| 13+ | 1.71 EUR |
| 2SB1181TLQ |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SB1181TLQ |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
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