2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 2041+ | 0.07 EUR |
| 2080+ | 0.06 EUR |
| 3000+ | 0.06 EUR |
| 6000+ | 0.06 EUR |
| 12000+ | 0.05 EUR |
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Technische Details 2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SB1197KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 800 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SB1197KT146Q nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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2SB1197KT146Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R |
auf Bestellung 1868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1197KT146Q | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.8A |
auf Bestellung 8013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SB1197KT146Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 200 mW |
auf Bestellung 2115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SB1197KT146Q | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SB1197KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 800 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SB1197K-T146Q | Hersteller : ROHM | SOT23 |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SB1197KT146Q | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
2SB1197KT146Q PNP SMD transistors |
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2SB1197KT146Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 200 mW |
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