2SB1202S-E onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 32595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 968+ | 0.48 EUR |
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Technische Details 2SB1202S-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SB1202S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote 2SB1202S-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2SB1202S-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1202S-E | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V |
auf Bestellung 1217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SB1202S-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1202S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 32698 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1202S-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2SB1202S-E | Hersteller : ONSEMI |
2SB1202S-E PNP THT transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SB1202S-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 3A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TP Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
Produkt ist nicht verfügbar |