2SB815-6-TB-E onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PNP 15V 0.7A 3-CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
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| Anzahl | Preis |
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| 2141+ | 0.21 EUR |
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Technische Details 2SB815-6-TB-E onsemi
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3-CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: 3-CP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 200 mW.
Weitere Produktangebote 2SB815-6-TB-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2SB815-6-TB-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 15V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SB815-6-TB-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB815-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 700 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 700mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 796939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB815-6-TB-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB815-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 700 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 700mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 796939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB815-6-TB-E Produktcode: 184952
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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| 2SB815-6-TB-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SB815-6-TB-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3-CP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |