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2SB815-7-TB-E

2SB815-7-TB-E ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
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Technische Details 2SB815-7-TB-E ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3-CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: 3-CP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 200 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SB815-7-TB-E 2SB815-7-TB-E onsemi 2SB815-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 15V
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2SB815-7-TB-E 2SB815-7-TB-E onsemi EN694-D.html Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3-CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
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