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Technische Details 2SC2713-GR,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SC2713-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 2SC2713-GR,LF(T nach Preis ab 0.068 EUR bis 0.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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2SC2713-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
 Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.1A; 0.15W; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 200...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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2SC2713-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.1A; 0.15W; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 200...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
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2SC2713-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2713-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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2SC2713-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2713-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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2SC2713-GR,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) |
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