2SC2713-GR,LF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.1A; 0.15W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Collector-emitter voltage: 120V
Current gain: 200...400
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 8930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 550+ | 0.13 EUR |
| 860+ | 0.083 EUR |
| 980+ | 0.074 EUR |
| 1050+ | 0.068 EUR |
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Technische Details 2SC2713-GR,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC2713-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 2SC2713-GR,LF(T nach Preis ab 0.068 EUR bis 0.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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2SC2713-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.1A; 0.15W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Collector-emitter voltage: 120V Current gain: 200...400 Frequency: 100MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN |
auf Bestellung 8930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC2713-GR,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 1415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC2713-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2713-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 28906 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC2713-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2713-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 28906 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC2713-GR,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) |
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