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2SC2713-GR,LF(T

2SC2713-GR,LF(T TOSHIBA

2SC2713.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.1A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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Technische Details 2SC2713-GR,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - 2SC2713-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC2713-GR,LF(T 2SC2713-GR,LF(T TOSHIBA 3622366.pdf Description: TOSHIBA - 2SC2713-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 21281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+0.56 EUR
741+0.31 EUR
1187+0.18 EUR
1616+0.13 EUR
1819+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 100mA
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Produktpalette: -
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2SC2713-GR,LF(T 2SC2713-GR,LF(T Toshiba docget.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
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Description: TOSHIBA - 2SC2713-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
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Description: TOSHIBA - 2SC2713-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
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