2SC2713-GR,LF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.1A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 510+ | 0.14 EUR |
| 800+ | 0.09 EUR |
| 980+ | 0.073 EUR |
| 1040+ | 0.069 EUR |
| 3000+ | 0.067 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2SC2713-GR,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC2713-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote 2SC2713-GR,LF(T nach Preis ab 0.067 EUR bis 0.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SC2713-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.1A; 0.15W; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 200...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
2SC2713-GR,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 4060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
2SC2713-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2713-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 26135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
2SC2713-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2713-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 100 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 26135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
2SC2713-GR,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |