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2SC2714-Y(TE85L,F)

2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba


192sc2714_en_datasheet_071101.pdf Hersteller: Toshiba
Trans RF BJT NPN 30V 0.02A 100mW 3-Pin S-Mini T/R
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Technische Details 2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba

Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Gain: 23dB, Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 550MHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active.

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2SC2714-Y(TE85L,F) 2SC2714-Y(TE85L,F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
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2SC2714-Y(TE85L,F) 2SC2714-Y(TE85L,F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
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2SC2714-Y(TE85L,F) 2SC2714-Y(TE85L,F) Hersteller : Toshiba 2SC2714_datasheet_en_20140301-2887536.pdf Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V
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2SC2714-Y(TE85L,F) 2SC2714-Y(TE85L,F) Hersteller : Toshiba 192sc2714_en_datasheet_071101.pdf Trans RF BJT NPN 30V 0.02A 100mW 3-Pin S-Mini T/R
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2SC2714-Y(TE85L,F) Hersteller : TOSHIBA 2SC2714.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.02A; 0.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 40...200
Collector current: 20mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: bipolar
Frequency: 550MHz
Anzahl je Verpackung: 15000 Stücke
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2SC2714-Y(TE85L,F)
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2SC2714-Y(TE85L,F) Hersteller : TOSHIBA 2SC2714.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.02A; 0.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 40...200
Collector current: 20mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: bipolar
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