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2SC2721-T-AZ Renesas


Hersteller: Renesas
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
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Technische Details 2SC2721-T-AZ Renesas

Description: 2SC2721 - Bipolar Power Transist, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SSIP, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 700mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Part Status: Obsolete, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 110MHz.

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2SC2721-T-AZ Hersteller : Renesas NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
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2SC2721-T-AZ Hersteller : Renesas NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
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2SC2721-T-AZ Hersteller : Renesas Description: 2SC2721 - Bipolar Power Transist
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 700mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Part Status: Obsolete
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
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