2SC2721-T-AZ Renesas
Hersteller: Renesas
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
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Technische Details 2SC2721-T-AZ Renesas
Description: 2SC2721 - Bipolar Power Transist, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Current - Collector (Ic) (Max): 700mA, Power - Max: 1W, Operating Temperature: 150°C (TJ), Frequency - Transition: 110MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 3-SSIP, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete.
Weitere Produktangebote 2SC2721-T-AZ nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| 2SC2721-T-AZ | Renesas | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING |
auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2721-T-AZ | Renesas | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC2721-T-AZ |
Hersteller: Renesas
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3308+ | 0.2 EUR |
| 2SC2721-T-AZ |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 3308+ | 0.2 EUR |