2SC2721-T-AZ Renesas
Hersteller: Renesas
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
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Technische Details 2SC2721-T-AZ Renesas
Description: 2SC2721 - Bipolar Power Transist, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SSIP, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 700mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Part Status: Obsolete, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 110MHz.
Weitere Produktangebote 2SC2721-T-AZ nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| 2SC2721-T-AZ | Hersteller : Renesas | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING |
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| 2SC2721-T-AZ | Hersteller : Renesas | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING |
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| 2SC2721-T-AZ | Hersteller : Renesas |
Description: 2SC2721 - Bipolar Power Transist Packaging: Bulk Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 700mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Part Status: Obsolete DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 110MHz |
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