2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba
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Technische Details 2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SC2873-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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2SC2873-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
 Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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2SC2873-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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2SC2873-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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2SC2873-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 2A PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
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2SC2873-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI V=50 PD=0.5W F=120MHZ |
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2SC2873-Y(TE12L,ZC | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2873-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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2SC2873-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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2SC2873-Y(TE12L,ZC | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2873-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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2SC2873-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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| 2SC2873-Y(TE12L,ZC | Hersteller : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
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2SC2873-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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2SC2873-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SC2873-Y(TE12L,ZC | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 2A PW-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
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