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2SC3326-B,LF

2SC3326-B,LF Toshiba

2SC3326_datasheet_en_20210625-1916336.pdf Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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Technische Details 2SC3326-B,LF Toshiba

Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 150 mW.

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2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326_datasheet_en_20210625.pdf?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
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2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Hersteller : Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
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2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326_datasheet_en_20210625.pdf?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
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2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Hersteller : Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
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2SC3326-B,LF Hersteller : Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
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