2SC3585-T1B-A Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
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| Anzahl | Preis |
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| 683+ | 0.68 EUR |
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Technische Details 2SC3585-T1B-A Renesas Electronics Corporation
Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT-23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 9dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V, Frequency - Transition: 10GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete.
Weitere Produktangebote 2SC3585-T1B-A nach Preis ab 0.43 EUR bis 0.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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2SC3585-T1B-A | Hersteller : Renesas |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC3585-T1B-A | Hersteller : Renesas |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC3585-T1B-A | Hersteller : Renesas |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC3585-T1B-A | Hersteller : Renesas |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
auf Bestellung 210282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC3585-T1B-A | Hersteller : Renesas |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
auf Bestellung 71102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC3585-T1B-A | Hersteller : Renesas |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SC3585-T1B-A | Hersteller : CEL |
Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-23-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SC3585-T1B-A | Hersteller : CEL |
Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-23-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SC3585-T1B-A | Hersteller : CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2SC3585-T1B-A | Hersteller : Renesas Electronics |
RF Bipolar Transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |