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2SC3646S-P-TD-E

2SC3646S-P-TD-E onsemi


Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bulk
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Technische Details 2SC3646S-P-TD-E onsemi

Description: TRANS NPN 100V 1A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.

Weitere Produktangebote 2SC3646S-P-TD-E nach Preis ab 0.71 EUR bis 0.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC3646S-P-TD-E ONSEMI Description: ONSEMI - 2SC3646S-P-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21000 Stücke:
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2SC3646S-P-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646S-P-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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rohsCompliant: NO
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rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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