2SC3646S-TD-E


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Produktcode: 172099
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : onsemi 2sa1416jp-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.38 EUR
2000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
125+0.57 EUR
188+0.38 EUR
250+0.33 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : onsemi 2sa1416jp-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1 EUR
21+0.86 EUR
100+0.6 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : onsemi 2SA1416_D-3006414.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.2 EUR
10+0.74 EUR
100+0.49 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.34 EUR
10000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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2SC3646S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1416jp-d.pdf
auf Bestellung 19 Stücke:
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