2SC3646S-TD-E onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
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Technische Details 2SC3646S-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote 2SC3646S-TD-E nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2SC3646S-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 500 mW |
auf Bestellung 3175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC3646S-TD-E | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V |
auf Bestellung 2984 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2SC3646S-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 313 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC3646S-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC3646S-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 313 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC3646S-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC3646S-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SC3646S-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 41362 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC3646S-TD-E Produktcode: 172099 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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2SC3646S-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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2SC3646S-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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2SC3646S-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89 Kind of package: reel; tape Case: SOT89 Frequency: 120MHz Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 140...280 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2SC3646S-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89 Kind of package: reel; tape Case: SOT89 Frequency: 120MHz Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 140...280 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Mounting: SMD |
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