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2SC3646S-TD-E

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Produktcode: 172099
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E onsemi 2sa1416jp-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.45 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.11 EUR
125+0.68 EUR
188+0.45 EUR
250+0.39 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E onsemi 2sa1416jp-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
21+1.02 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E onsemi 2SA1416_D-3006414.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+0.88 EUR
100+0.58 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.4 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SC3646S-TD-E ON Semiconductor 2sa1416jp-d.pdf
auf Bestellung 19 Stücke:
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2SC3646S-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.45 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SC3646S-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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125+0.68 EUR
188+0.45 EUR
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2SC3646S-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+1.19 EUR
21+1.02 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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2SC3646S-TD-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.43 EUR
10+0.88 EUR
100+0.58 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.4 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SC3646S-TD-E 2sa1416jp-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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