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2SC3646S-TD-E

2sa1416jp-d.pdf
Produktcode: 172099
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.32 EUR
9000+0.28 EUR
18000+0.25 EUR
27000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : onsemi 2sa1416jp-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.38 EUR
2000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
125+0.57 EUR
188+0.38 EUR
250+0.33 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : onsemi 2sa1416jp-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1 EUR
21+0.86 EUR
100+0.6 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : onsemi 2SA1416_D-3006414.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
auf Bestellung 2620 Stücke:
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Anzahl Preis
3+1.2 EUR
10+0.74 EUR
100+0.49 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.34 EUR
10000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 313 Stücke:
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 898 Stücke:
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2SC3646S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1416jp-d.pdf
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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