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2SC3646S-TD-E ON Semiconductor

Name: 2SC3646S-TD-E
Brand: ON Semiconductor
SKU: 15926967-5
Price: 310.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

auf Bestellung 38000 Stücke:

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Technische Details 2SC3646S-TD-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote 2SC3646S-TD-E nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.2 EUR

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Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

2SC3646S-TD-E

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW

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Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
1000+	0.38 EUR
2000+	0.34 EUR

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2SC3646S-TD-E

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW

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Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
18+	1 EUR
21+	0.86 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 18

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2SC3646S-TD-E

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V

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Anzahl	Preis
3+	1.2 EUR
10+	0.74 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.43 EUR
2000+	0.34 EUR
10000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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2SC3646S-TD-E

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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2SC3646S-TD-E

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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2SC3646S-TD-E

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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2SC3646S-TD-E

Hersteller : ONSEMI

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2SC3646S-TD-E

Hersteller : ON Semiconductor

auf Bestellung 19 Stücke:

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2SC3646S-TD-E
Produktcode: 172099

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2SC3646S-TD-E

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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2SC3646S-TD-E

Hersteller : ONSEMI

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Power dissipation: 0.5W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Frequency: 120MHz

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