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Technische Details 2SC3651-OTE-TD-E ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 0.2A PCP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PCP, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 500 mW.
Weitere Produktangebote 2SC3651-OTE-TD-E nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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| 2SC3651-OTE-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
 HIGH-GAIN/LF AMPLIFIER |
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| 2SC3651-OTE-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
HIGH-GAIN/LF AMPLIFIER |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC3651-OTE-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 0.2A PCP Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 500 mW |
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| 2SC3651-OTE-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3651-OTE-TD-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |