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2SC4102U3HZGT106R

2SC4102U3HZGT106R Rohm Semiconductor

2sc4102u3hzgt106r-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3537 Stücke:
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Technische Details 2SC4102U3HZGT106R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SC4102U3HZGT106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote 2SC4102U3HZGT106R nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC4102U3HZGT106R 2SC4102U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SC4102U3HZGT106R 2SC4102U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
630+0.27 EUR
690+0.25 EUR
804+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 630 Stücke
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2SC4102U3HZGT106R 2SC4102U3HZGT106R ROHM 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf Description: ROHM - 2SC4102U3HZGT106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+1.04 EUR
397+0.58 EUR
618+0.35 EUR
820+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
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2SC4102U3HZGT106R 2SC4102U3HZGT106R ROHM 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf Description: ROHM - 2SC4102U3HZGT106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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397+0.58 EUR
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2SC4102U3HZGT106R 2SC4102U3HZGT106R ROHM Semiconductor 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf Bipolar Transistors - BJT H. Volt 120V, 50mA UMT3
auf Bestellung 5402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2SC4102U3HZGT106R 2SC4102U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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2SC4102U3HZGT106R 2sc4102u3hzgt106r-e.pdf
2SC4102U3HZGT106R
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
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Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
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Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SC4102U3HZGT106R
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
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630+0.27 EUR
690+0.25 EUR
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2SC4102U3HZGT106R
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SC4102U3HZGT106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SC4102U3HZGT106R
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SC4102U3HZGT106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Bipolar Transistors - BJT H. Volt 120V, 50mA UMT3
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AnzahlPrivatkunde
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3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2SC4102U3HZGT106R
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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20+1.09 EUR
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