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2SC4215-Y(TE85L,F)

2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 17dB ~ 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
auf Bestellung 1479 Stücke:
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Technische Details 2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-70, Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Frequency - Transition: 550MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Power - Max: 100mW, Gain: 17dB ~ 23dB, Operating Temperature: 125°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote 2SC4215-Y(TE85L,F) nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.93 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC4215-Y(TE85L,F) 2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba 2SC4215_datasheet_en_20140301-1090314.pdf Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V
auf Bestellung 3707 Stücke:
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10+0.7 EUR
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2SC4215-Y(TE85L,F) 2SC4215_datasheet_en_20140301-1090314.pdf
2SC4215-Y(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V
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