2SC4466 EVVO
Hersteller: EVVODescription: SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLAN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 0.2A, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3PN
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 60 W
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Technische Details 2SC4466 EVVO
Description: SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLAN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 0.2A, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 4V, Frequency - Transition: 20MHz, Supplier Device Package: TO-3PN, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 60 W.
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