2SC4467 EVVO
Hersteller: EVVODescription: SILICON NPN POWER TRANSISTORS TO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 0.3A, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3PN
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 110 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 5.68 EUR |
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Technische Details 2SC4467 EVVO
Description: SILICON NPN POWER TRANSISTORS TO, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 0.3A, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 20MHz, Supplier Device Package: TO-3PN, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 80 W.
Weitere Produktangebote 2SC4467 nach Preis ab 2.26 EUR bis 20.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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2SC4467 | Hersteller : Sanken Electric Company, Ltd. |
Trans GP BJT NPN 120V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC4467 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 36120
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : SanKen |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-3P fT: 20 MHz Uceo,V: 120 Ucbo,V: 160 Ic,A: 8 h21: 50 ZCODE: THT |
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2SC4467 | Hersteller : Allegro Microsystems |
Trans GP BJT NPN 120V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 2SC4467 | Hersteller : Sanken Electric Co. |
Trans GP BJT NPN 120V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SC4467 | Hersteller : Sanken Electric USA Inc. |
Description: TRANS NPN 120V 8A TO-3P Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-3P Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 80 W |
Produkt ist nicht verfügbar |