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Technische Details 2SC5227A-5-TB-E onsemi
Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 20mA, 5V, Frequency - Transition: 7GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Supplier Device Package: 3-CP.
Weitere Produktangebote 2SC5227A-5-TB-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2SC5227A-5-TB-E | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2SC5227A-5-TB-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 200 mW, 70 mA, SC-59Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Bauform - HF-Transistor: SC-59 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 70 Übergangsfrequenz: 7 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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2SC5227A-5-TB-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5227A-5-TB-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 200 mW, 70 mA, SC-59 tariffCode: 85412100 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10 rohsCompliant: YES Verlustleistung: 200 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Bauform - Transistor: SC-59 usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 70 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5227A-5-TB-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SC5227A-5-TB-E | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-CP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 20mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Supplier Device Package: 3-CP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SC5227A-5-TB-E | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-CP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 20mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Supplier Device Package: 3-CP |
Produkt ist nicht verfügbar |