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Technische Details 2SC5354-1(F) Toshiba
Description: TRANS NPN 800V 5A TO-3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: TO-3P(N), Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Power - Max: 100 W.
Weitere Produktangebote 2SC5354-1(F) nach Preis ab 3.5 EUR bis 7.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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2SC5354-1(F) | Hersteller : Toshiba |
 Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 800V 5A |
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2SC5354-1(F) Produktcode: 101291
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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| 2SC5354-1(F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 800V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Sack |
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2SC5354-1(F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 800V 5A TO-3P Packaging: Tray Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-3P(N) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 100 W |
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