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2SC5354-1(F)

2SC5354-1(F) Toshiba


5382sc5354_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 800V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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Technische Details 2SC5354-1(F) Toshiba

Description: TRANS NPN 800V 5A TO-3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: TO-3P(N), Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Power - Max: 100 W.

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2SC5354-1(F) 2SC5354-1(F) Hersteller : Toshiba 2SC5354_datasheet_en_20131101-1101952.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 800V 5A
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2SC5354-1(F) 2SC5354-1(F)
Produktcode: 101291
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2SC5354-1(F) 2SC5354-1(F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20689&prodName=2SC5354 Description: TRANS NPN 800V 5A TO-3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 100 W
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