2SC5415AF-TD-E onsemi
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.34 EUR |
| 10+ | 1.18 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.71 EUR |
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Technische Details 2SC5415AF-TD-E onsemi
Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5415AF-TD-E - Bipolarer HF-Transistor, Einfach NPN, 12 V, 6.7 GHz, 800 mW, 100 mA, PCP, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: PCP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Übergangsfrequenz: 6.7GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SC5415AF-TD-E nach Preis ab 0.65 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| 2SC5415AF-TD-E | ONSEMI (VIA ROCHESTER) |
 Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5415AF-TD-E - Bipolarer HF-Transistor, Einfach NPN, 12 V, 6.7 GHz, 800 mW, 100 mA, PCPtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: PCP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Übergangsfrequenz: 6.7GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 659000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5415AF-TD-E |
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Hersteller: ONSEMI (VIA ROCHESTER)
Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5415AF-TD-E - Bipolarer HF-Transistor, Einfach NPN, 12 V, 6.7 GHz, 800 mW, 100 mA, PCP
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: PCP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Übergangsfrequenz: 6.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5415AF-TD-E - Bipolarer HF-Transistor, Einfach NPN, 12 V, 6.7 GHz, 800 mW, 100 mA, PCP
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Dauer-Kollektorstrom: 100mA
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Bauform - Transistor: PCP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Übergangsfrequenz: 6.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 2000+ | 0.65 EUR |