Produkte > ONSEMI > 2SC5415AF-TD-E
2SC5415AF-TD-E

2SC5415AF-TD-E onsemi


ONSMS36107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: onsemi
Description: 2SC5415A - RF TRANSISTOR, UPN SI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 6.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PCP
auf Bestellung 651000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1210+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1210
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SC5415AF-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SC5415AF-TD-E - Bipolarer HF-Transistor, Einfach NPN, 12 V, 6.7 GHz, 800 mW, 100 mA, PCP, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: PCP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Übergangsfrequenz: 6.7GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote 2SC5415AF-TD-E nach Preis ab 0.6 EUR bis 1.13 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2SC5415AF-TD-E 2SC5415AF-TD-E Hersteller : onsemi ENA1080_D-1804612.pdf RF Bipolar Transistors RF Transistor, NPN Single, 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.13 EUR
10+ 0.99 EUR
100+ 0.76 EUR
500+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2SC5415AF-TD-E Hersteller : ONSEMI ONSMS36107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5415AF-TD-E - Bipolarer HF-Transistor, Einfach NPN, 12 V, 6.7 GHz, 800 mW, 100 mA, PCP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: PCP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Übergangsfrequenz: 6.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 651000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5415AF-TD-E 2SC5415AF-TD-E Hersteller : onsemi ena1080-d.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 6.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar