Produkte > Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN > 2SC5566-TD-E

2SC5566-TD-E

2SA2013-D.PDF
Produktcode: 161288
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote 2SC5566-TD-E nach Preis ab 0.36 EUR bis 2.26 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi 2SA2013-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
auf Bestellung 7074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi 2SA2013-D.PDF Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
178+1.31 EUR
273+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
178+1.31 EUR
273+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI 2SA2013-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...560
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 400MHz
Collector current: 4A
Mounting: SMD
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 115629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1367+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
100000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 464000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1367+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
100000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 89000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1367+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.95 EUR
190+0.93 EUR
194+0.89 EUR
268+0.63 EUR
370+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+0.95 EUR
191+0.9 EUR
194+0.86 EUR
269+0.6 EUR
371+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SA2013-D.PDF
2SC5566-TD-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
auf Bestellung 7074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.87 EUR
10+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SA2013-D.PDF
2SC5566-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5566-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+2.26 EUR
178+1.31 EUR
273+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5566-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+2.26 EUR
178+1.31 EUR
273+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SA2013-D.PDF
2SC5566-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...560
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Frequency: 400MHz
Collector current: 4A
Mounting: SMD
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 115629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1367+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
100000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 464000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1367+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
100000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 89000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1367+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
187+0.95 EUR
190+0.93 EUR
194+0.89 EUR
268+0.63 EUR
370+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
188+0.95 EUR
191+0.9 EUR
194+0.86 EUR
269+0.6 EUR
371+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH