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2SC5566-TD-E

2SC5566-TD-E ONSEMI

en6307-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 214 Stücke:
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Technische Details 2SC5566-TD-E ONSEMI

Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Hersteller : ONSEMI en6307-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
auf Bestellung 214 Stücke:
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148+0.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 148
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Hersteller : onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Hersteller : onsemi EN6307_D-2310835.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
auf Bestellung 10011 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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59+0.89 EUR
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100+ 0.63 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.49 EUR
2000+ 0.47 EUR
5000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 59
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Hersteller : onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 1765 Stücke:
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19+1.43 EUR
22+ 1.21 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.66 EUR
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2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Hersteller : ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E Hersteller : ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 874 Stücke:
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2SC5566-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.29 EUR
2000+ 0.28 EUR
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2SC5566-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1000
2SC5566-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 788 Stücke:
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411+0.39 EUR
460+ 0.33 EUR
465+ 0.32 EUR
531+ 0.27 EUR
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2SC5566-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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382+0.41 EUR
408+ 0.37 EUR
411+ 0.36 EUR
460+ 0.31 EUR
465+ 0.29 EUR
531+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 382
2SC5566-TD-E Hersteller : ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 746313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5566-TD-E
Produktcode: 161288 		en6307-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2SC5566-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 1974en6307-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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