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2SC5566-TD-E

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Produktcode: 161288
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 400MHz
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Power dissipation: 1.3W
Collector current: 4A
Current gain: 200...560
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.26 EUR
108+0.8 EUR
139+0.61 EUR
157+0.55 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E onsemi en6307-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
auf Bestellung 7256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.17 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2SC5566-TD-E ONSEMI en6307-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 115629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1367+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
100000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
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2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 464000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1367+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
100000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
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2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 89000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1367+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E ON Semiconductor 2sa2013-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.84 EUR
211+0.82 EUR
214+0.8 EUR
272+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SC5566-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 400MHz
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Power dissipation: 1.3W
Collector current: 4A
Current gain: 200...560
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+1.26 EUR
108+0.8 EUR
139+0.61 EUR
157+0.55 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
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2SC5566-TD-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
auf Bestellung 7256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.87 EUR
10+1.17 EUR
100+0.76 EUR
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2SC5566-TD-E en6307-d.pdf
2SC5566-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SC5566-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 115629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1367+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
100000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 464000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1367+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
100000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 89000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1367+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5566-TD-E 2sa2013-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
208+0.84 EUR
211+0.82 EUR
214+0.8 EUR
272+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH