2SC5566-TD-E
Produktcode: 161288
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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2SC5566-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Collector current: 4A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 400MHz Polarisation: bipolar |
auf Bestellung 1035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V |
auf Bestellung 7302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W |
auf Bestellung 1372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5566-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 115629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5566-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 464000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5566-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 89000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5566-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 50, Ic = 4 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 400, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,225 @ 100 мA, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-89-3 (PCP) Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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