2SC5566-TD-E
Produktcode: 161288
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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2SC5566-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP Power - Max: 1.3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 400MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 4A Power dissipation: 1.3W Case: SOT89 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 400MHz |
auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1.3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 400MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount |
auf Bestellung 1372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V |
auf Bestellung 7285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5566-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 115629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5566-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 464000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5566-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 89000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5566-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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