2SC5585E3TL Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 2SC5585E3TL nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.70 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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2SC5585E3TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW |
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2SC5585E3TL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor |
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2SC5585E3TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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2SC5585E3TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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2SC5585E3TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW |
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