2SC5585E3TL

2SC5585E3TL Rohm Semiconductor


2sc5585e3-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 5950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
378+0.41 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.36 EUR
2500+ 0.33 EUR
5000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 378
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SC5585E3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote 2SC5585E3TL nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Hersteller : Rohm Semiconductor Description: NPN, SOT-416, 12V 0.5A, LOW VCE(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+0.63 EUR
39+ 0.45 EUR
100+ 0.23 EUR
500+ 0.2 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Hersteller : ROHM Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 12V 0.5A, Low VCE(sat) Transistor
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
56+0.94 EUR
73+ 0.72 EUR
117+ 0.45 EUR
1000+ 0.23 EUR
3000+ 0.21 EUR
9000+ 0.18 EUR
24000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 56
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Hersteller : ROHM 2sc5585e3-e.pdf Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Hersteller : ROHM 2sc5585e3-e.pdf Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5585E3TL 2SC5585E3TL Hersteller : Rohm Semiconductor Description: NPN, SOT-416, 12V 0.5A, LOW VCE(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar