Produkte > ONSEMI > 2SC5658M3T5G
2SC5658M3T5G

2SC5658M3T5G onsemi

2sc5658m3-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8000+0.077 EUR
16000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SC5658M3T5G onsemi

Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: SOT-723, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW.

Weitere Produktangebote 2SC5658M3T5G nach Preis ab 0.052 EUR bis 0.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2SC5658M3T5G 2SC5658M3T5G Hersteller : onsemi 2SC5658M3_D-2309886.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
auf Bestellung 23495 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
113+0.46 EUR
151+ 0.35 EUR
351+ 0.15 EUR
1000+ 0.086 EUR
2500+ 0.075 EUR
8000+ 0.055 EUR
24000+ 0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 113
2SC5658M3T5G 2SC5658M3T5G Hersteller : onsemi 2sc5658m3-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
auf Bestellung 17811 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
56+0.47 EUR
79+ 0.33 EUR
145+ 0.18 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.098 EUR
2000+ 0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 56
2SC5658M3T5G Hersteller : on 2sc5658m3-d.pdf sot-723 05+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5658M3T5G Hersteller : ON Semiconductor 2sc5658m3-d.pdf
auf Bestellung 8112 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC5658M3T5G Hersteller : ONSEMI ONSMS39029-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC5658M3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 13051 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5658M3T5G 2SC5658M3T5G Hersteller : ON Semiconductor 21032sc5658m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC5658M3T5G 2SC5658M3T5G Hersteller : ON Semiconductor 2sc5658m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC5658M3T5G 2SC5658M3T5G Hersteller : ON Semiconductor 2sc5658m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar