2SC5658M3T5G ON Semiconductor
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Technische Details 2SC5658M3T5G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: SOT-723, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW.
Weitere Produktangebote 2SC5658M3T5G nach Preis ab 0.027 EUR bis 0.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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2SC5658M3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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2SC5658M3T5G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW |
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2SC5658M3T5G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN |
auf Bestellung 33380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5658M3T5G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW |
auf Bestellung 40387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5658M3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW 3-Pin SOT-723 T/R |
auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5658M3T5G | Hersteller : on |
sot-723 05+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SC5658M3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 8112 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SC5658M3T5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5658M3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 11651 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5658M3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW 3-Pin SOT-723 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SC5658M3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW 3-Pin SOT-723 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |