2SC5707-TL-E ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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56+ | 1.29 EUR |
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82+ | 0.87 EUR |
700+ | 0.86 EUR |
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Technische Details 2SC5707-TL-E ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 330MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote 2SC5707-TL-E nach Preis ab 0.87 EUR bis 2.89 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2SC5707-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Collector current: 8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: TO252 |
auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5707-TL-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 8A TPFA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 9100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5707-TL-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 8A TPFA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 9748 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5707-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5707-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5707-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor | Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 8 А; ft, МГц = 330; hFE = 200 @ 500 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TP-FA-2 |
auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5707-TL-E | Hersteller : onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V |
auf Bestellung 2697 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2SC5707-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SC5707-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |