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2SC5707-TL-E

en6913-d.pdf
Produktcode: 211444
Hersteller:
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SC5707-TL-E
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 		2SC5707-TL-E Hersteller : ONSEMI en6913-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Frequency: 330MHz
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
57+1.27 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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2SC5707-TL-E
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 		2SC5707-TL-E Hersteller : ONSEMI en6913-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Frequency: 330MHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
57+1.27 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E Hersteller : onsemi en6913-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 8A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
700+0.89 EUR
1400+0.82 EUR
2100+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 700
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2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E Hersteller : onsemi 2SA2040_D-3538326.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
auf Bestellung 6889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.64 EUR
10+1.78 EUR
100+1.28 EUR
700+0.96 EUR
1400+0.86 EUR
2100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E Hersteller : onsemi en6913-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 8A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 3443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.76 EUR
10+1.76 EUR
100+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E Hersteller : ONSEMI ONSMS36375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E Hersteller : ONSEMI ONSMS36375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SC5707-TL-E Hersteller : ON Semiconductor en6913-d.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 8 А; ft, МГц = 330; hFE = 200 @ 500 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TP-FA-2
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa2040-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 1972en6913-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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