2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
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| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 0.29 EUR |
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Technische Details 2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote 2SC5712(TE12L,F) nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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2SC5712(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
auf Bestellung 2540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5712(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC |
auf Bestellung 824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5712(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 1830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5712(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5712(TE12L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4656 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5712(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SC5712(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SC5712(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |