Produkte > TOSHIBA > 2SC5712(TE12L,F)
2SC5712(TE12L,F)

2SC5712(TE12L,F) Toshiba

15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
560+0.28 EUR
564+ 0.27 EUR
667+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 560
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SC5712(TE12L,F) Toshiba

Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V, Supplier Device Package: PW-MINI, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Weitere Produktangebote 2SC5712(TE12L,F) nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Hersteller : Toshiba 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
435+0.36 EUR
500+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 435
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Hersteller : Toshiba 2SC5712_datasheet_en_20131101-1916105.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
auf Bestellung 2871 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
49+1.06 EUR
57+ 0.92 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.43 EUR
2000+ 0.38 EUR
10000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 49
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5712_datasheet_en_20131101.pdf?did=20740&prodName=2SC5712 Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+1.09 EUR
28+ 0.93 EUR
100+ 0.65 EUR
500+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 24
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Hersteller : Toshiba 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Hersteller : Toshiba 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Hersteller : Toshiba 15832sc5712_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5712_datasheet_en_20131101.pdf?did=20740&prodName=2SC5712 Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar