2SC6017-E

2SC6017-E

Produktcode: 107502
Hersteller:
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

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Technische Details 2SC6017-E

Preis 2SC6017-E ab 0.95 EUR bis 2.17 EUR

2SC6017-E
2SC6017-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 10A TP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 10A
Transistor Type: NPN
Part Status: Last Time Buy
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TP
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 200MHz
Power - Max: 950mW
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13+ 1.89 EUR
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500+ 1.15 EUR
1000+ 0.95 EUR
2SC6017-E
2SC6017-E
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
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2SC6017-E
2SC6017-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6017-E - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 50V, TO-251-4
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 20
DC Current Gain hFE: 200
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: MSL 1 - Unlimited
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 10
Transistor Case Style: TO-251
Transition Frequency ft: 200
No. of Pins: 4
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50
SVHC: Lead
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2SC6017-E
2SC6017-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 10A 950mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
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Hersteller: ON Semiconductor
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