auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8000+ | 0.027 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.
Weitere Produktangebote 2SC6026MFVGR,L3F nach Preis ab 0.027 EUR bis 0.48 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC6026MFVGR,L3F | Hersteller : Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R |
auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
2SC6026MFVGR,L3F | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
2SC6026MFVGR,L3F | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 28622 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
2SC6026MFVGR,L3F | Hersteller : Toshiba | Bipolar Transistors - BJT VESM PLN |
auf Bestellung 35104 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
2SC6026MFVGR,L3F | Hersteller : Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
2SC6026MFVGR,L3F | Hersteller : Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |