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2SC6026MFVGR,L3F

2SC6026MFVGR,L3F Toshiba

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Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
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Technische Details 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba

Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba 282sc6026mfv_en_datasheet_100519.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
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2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
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2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
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2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba 2SC6026MFV_datasheet_en_20140301-1916509.pdf Bipolar Transistors - BJT VESM PLN
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