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2SC6082-EPN-1E onsemi

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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 15A 50V
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Technische Details 2SC6082-EPN-1E onsemi

Description: TRANS NPN 50V 15A TO-220F-3SG, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V, Frequency - Transition: 195MHz, Supplier Device Package: TO-220F-3SG, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 2 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC6082-EPN-1E 2SC6082-EPN-1E onsemi ena0279jp-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 15A TO-220F-3SG
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V
Frequency - Transition: 195MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3SG
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
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2SC6082-EPN-1E ON Semiconductor 2sc6082d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 15A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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2SC6082-EPN-1E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 15A TO-220F-3SG
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V
Frequency - Transition: 195MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3SG
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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Trans GP BJT NPN 50V 15A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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