Produkte > ONSEMI > 2SC6082-EPN-1E

2SC6082-EPN-1E onsemi


ENA0279_D-2311288.pdf Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 15A 50V
auf Bestellung 5133 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+3.87 EUR
23+ 2.3 EUR
100+ 2.1 EUR
500+ 1.99 EUR
750+ 1.61 EUR
3000+ 1.53 EUR
5250+ 1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SC6082-EPN-1E onsemi

Description: TRANS NPN 50V 15A TO220F-3SG, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V, Frequency - Transition: 195MHz, Supplier Device Package: TO-220F-3SG, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 2 W.

Weitere Produktangebote 2SC6082-EPN-1E

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2SC6082-EPN-1E Hersteller : ON Semiconductor 2021ena0279-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 15A 2000mW
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6082-EPN-1E Hersteller : ON Semiconductor 2021ena0279-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 15A 2000mW
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6082-EPN-1E 2SC6082-EPN-1E Hersteller : onsemi ena0279jp-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 15A TO220F-3SG
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 375mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 330mA, 2V
Frequency - Transition: 195MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3SG
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar