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2SCR512PT100

2SCR512PT100 Rohm Semiconductor


2scr512p.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SCR512PT100 Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 320MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 2 W.

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2SCR512PT100 2SCR512PT100 Hersteller : Rohm Semiconductor 2scr512p.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR512PT100 2SCR512PT100 Hersteller : Rohm Semiconductor 2scr512p.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR512PT100 2SCR512PT100 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR512P&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
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2SCR512PT100 2SCR512PT100 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR512P&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 30V 2A
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