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2SCR512RHZGTL

2SCR512RHZGTL Rohm Semiconductor


2scr512rhzgtl-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details 2SCR512RHZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

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2SCR512RHZGTL 2SCR512RHZGTL Hersteller : Rohm Semiconductor 2scr512rhzgtl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin TSMT
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2SCR512RHZGTL 2SCR512RHZGTL Hersteller : Rohm Semiconductor 2scr512rhzgtl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
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2SCR512RHZGTL 2SCR512RHZGTL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR512RHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT SOT346T 30V 2A MID-PWR TRANS
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2SCR512RHZGTL 2SCR512RHZGTL Hersteller : ROHM 2scr512rhzgtl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
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Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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2SCR512RHZGTL 2SCR512RHZGTL Hersteller : ROHM 2scr512rhzgtl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-346T
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Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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2SCR512RHZGTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR512RHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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17+1.09 EUR
19+ 0.94 EUR
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1000+ 0.46 EUR
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2SCR512RHZGTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR512RHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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