2SCR563F3TR Rohm Semiconductor
| Anzahl | Preis |
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| 962+ | 0.15 EUR |
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Technische Details 2SCR563F3TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.1W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 6A, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote 2SCR563F3TR nach Preis ab 0.48 EUR bis 2.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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2SCR563F3TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR563F3TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR563F3TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 6A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R |
auf Bestellung 3052 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR563F3TR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Small and Excellent Thermal Conductivity, NPN 6A 50V Middle Power Transistor |
auf Bestellung 2660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SCR563F3TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2802 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SCR563F3TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR563F3TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.1W euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6A Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR563F3TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) |
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