2SCR563F3TR ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Small and Excellent Thermal Conductivity, NPN 6A 50V Middle Power Transistor
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 2.06 EUR |
| 10+ | 1.31 EUR |
| 100+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| 3000+ | 0.62 EUR |
| 6000+ | 0.58 EUR |
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Technische Details 2SCR563F3TR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.1W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 6A, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote 2SCR563F3TR nach Preis ab 0.66 EUR bis 2.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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2SCR563F3TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: HUML2020L3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
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2SCR563F3TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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2SCR563F3TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.1W euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6A Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR563F3TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 6A HUML2020L3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: HUML2020L3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
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