2SCR579D3TLQ ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 2SCR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
Bipolar Transistors - BJT 2SCR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.31 EUR |
| 10+ | 1.44 EUR |
| 100+ | 0.96 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| 2500+ | 0.55 EUR |
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Technische Details 2SCR579D3TLQ ROHM Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 101MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote 2SCR579D3TLQ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2SCR579D3TLQ | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 101MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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