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2SCR579D3TLQ

2SCR579D3TLQ Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SCR579D3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 101MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
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14+1.52 EUR
20+1.08 EUR
25+0.98 EUR
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Technische Details 2SCR579D3TLQ Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 101MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SCR579D3TLQ 2SCR579D3TLQ Rohm Semiconductor 2scr579d3tlq-e.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
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2SCR579D3TLQ 2SCR579D3TLQ ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR579D3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT 2SCR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
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10+1.78 EUR
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2SCR579D3TLQ 2SCR579D3TLQ ROHM datasheet?p=2SCR579D3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 101MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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2SCR579D3TLQ 2scr579d3tlq-e.pdf
2SCR579D3TLQ
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 101MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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