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2SCR582D3TL1

2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 2500 Stücke:

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Technische Details 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor 2scr582d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor 2scr582d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor
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2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
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10+2.27 EUR
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500+1.22 EUR
1000+1.12 EUR
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2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Hersteller : ROHM datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2098 Stücke:
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2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor 2scr582d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
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2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Hersteller : ROHM datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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