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2SCR582D3TL1

2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr582d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr582d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr582d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr582d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 ROHM datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2075 Stücke:
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2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 1893 Stücke:
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6+4 EUR
10+2.56 EUR
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500+1.38 EUR
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2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor
auf Bestellung 3279 Stücke:
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1+4.02 EUR
10+2.57 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
2500+1.21 EUR
5000+1.15 EUR
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2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 ROHM datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2075 Stücke:
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2SCR582D3TL1 2SCR582D3TL1 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 10A; 10W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 10A
Power dissipation: 10W
Case: TO252
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
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2SCR582D3TL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
135+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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2SCR582D3TL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
136+2.12 EUR
250+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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2SCR582D3TL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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91+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 117 Stücke:
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2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+2.95 EUR
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2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
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10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
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2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor
auf Bestellung 3279 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.02 EUR
10+2.57 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
2500+1.21 EUR
5000+1.15 EUR
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2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR582D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+4.93 EUR
79+2.95 EUR
121+1.77 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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2SCR582D3TL1 datasheet?p=2SCR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR582D3TL1
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 10A; 10W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 10A
Power dissipation: 10W
Case: TO252
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 1575 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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