2SCR586D3TL1 ROHM SEMICONDUCTOR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 200MHz
Case: DPAK; TO252
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 5A
Power dissipation: 10W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 47+ | 1.54 EUR |
| 72+ | 1.01 EUR |
| 84+ | 0.86 EUR |
| 106+ | 0.68 EUR |
| 250+ | 0.58 EUR |
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Technische Details 2SCR586D3TL1 ROHM SEMICONDUCTOR
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SCR586D3TL1 nach Preis ab 0.66 EUR bis 2.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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2SCR586D3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SCR586D3TL1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE |
auf Bestellung 2715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SCR586D3TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR586D3TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |