2SCR586D3TL1 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details 2SCR586D3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SCR586D3TL1 nach Preis ab 0.47 EUR bis 2.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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2SCR586D3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR586D3TL1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 10W Pwr trnstr Low VCE |
auf Bestellung 4227 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SCR586D3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
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2SCR586D3TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR586D3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR586D3TL1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR586D3TL1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
2SCR586D3TL1 NPN SMD transistors |
auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SCR586D3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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2SCR586D3TL1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 5A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
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