2SCR587D3TL1 Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SCR587D3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote 2SCR587D3TL1 nach Preis ab 0.9 EUR bis 4.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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2SCR587D3TL1 | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR587D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR587D3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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2SCR587D3TL1 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor |
auf Bestellung 2405 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SCR587D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 120V 3A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 10 W |
auf Bestellung 1658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SCR587D3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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2SCR587D3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 3A; 10W; DPAK,TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 3A Power dissipation: 10W Case: DPAK; TO252 Current gain: 120 Mounting: SMD Frequency: 250MHz |
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Mindestbestellmenge: 136 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SCR587D3TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 2.64 EUR |
| 90+ | 1.89 EUR |
| 122+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 0.98 EUR |
| 2SCR587D3TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 2.64 EUR |
| 90+ | 1.84 EUR |
| 122+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| 2SCR587D3TL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.88 EUR |
| 120+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| 2SCR587D3TL1 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.24 EUR |
| 10+ | 2.7 EUR |
| 100+ | 1.82 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.32 EUR |
| 2500+ | 1.21 EUR |
| 5000+ | 1.15 EUR |
| 2SCR587D3TL1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
Description: TRANS NPN 120V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 1658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.24 EUR |
| 10+ | 2.71 EUR |
| 100+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.46 EUR |
| 1000+ | 1.34 EUR |
| 2SCR587D3TL1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 52+ | 4.84 EUR |
| 81+ | 2.88 EUR |
| 120+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| 2SCR587D3TL1 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 3A; 10W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 3A
Power dissipation: 10W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 120
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 3A; 10W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 3A
Power dissipation: 10W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 120
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 4535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)