2SD1047 STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 63+ | 2.32 EUR |
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Technische Details 2SD1047 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - 2SD1047 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 12 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 12A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 20MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote 2SD1047 nach Preis ab 2.71 EUR bis 2.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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2SD1047 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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2SD1047 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - 2SD1047 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 12 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 12A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 20MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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2SD1047 Produktcode: 82305
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Uceo,V: 140 V Ucbo,V: 160 V Ic,A: 12 A |
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2SD1047 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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| 2SD1047 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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2SD1047 | Hersteller : EVVO |
Description: 140V/12A, AF 60W OUTPUT APPLICAT Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 0.5A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-3PN Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 120 W |
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2SD1047 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
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